IM 153-4 PN 接口模板,通过铜线将模块 ET 200M I/O 设备连接至 PROFINET 现场总线。 它可以自动处理模板和更**的PROFINET I/O 控制器间的通信。
接口模板可对现有的ET 200M PROFIBUS 接口产品系列加以补充。
设计IM 153-4 PN 接口模板用作 ET200M 的主模板。 在 S7-300 可编程序控制器模板范围内,*多 12 个 I/O 模板可连接到该接口模板。没有槽位规则。
该接口模板和所需要的 I/O 模板安装在 S7-300 DIN 导轨上。 通过总线接头和 IM 153 接口模板与 I/O 模板进行连接。
IM 153-4 PN,宽 40 mm。 显示元件位于前端,与 SIMATIC 微储存卡(MMC)槽一起。
运行 SIMATIC MMC,至少需要 64 KB。
1)u, i 取关联参考方向
P=ui 表示元件吸收的功率 P>0 吸收正功率 (实际吸收) P<0 吸收负功率 (实际发出) | |
关联参考方向 |
2)u, i 取非关联参考方向
p=ui 表示元件发出的功率
P>0 发出正功率 (实际发出)
P<0 发出负功率 (实际吸收)
需要指出的是:
对一完整的电路,发出的功率=消耗的功率,满足功率平衡。
上述结果说明电阻元件在任何时刻总是消耗功率的。 |
1)伏安关系的微分形式
若电容的端电压U和电流i取关联参考方向,则有:
上式表明:
(1) i 的大小取决于 u 的变化率, 与 u 的大小无关,电容是动态元件;
(2) 当 u 为常数(直流)时,i =0。电容相当于开路,电容有隔断直流作用;
(3) 实际电路中通过电容的电流 i为有限值,则电容电压u必定是时间的连续函数。
2)伏安关系的积分形式
上式表明:电容元件有记忆电流的作用,故称电容为记忆元件
需要指出的是:
(1)当 u,i为非关联方向时,上述微分和积分表达式前要冠以负号 ;
(2)上式中u(t0)称为电容电压的初始值,它反映电容初始时刻的储能状况,也称为初始状态。
1)伏安关系的微分形式 |
1. 理想电压源 |
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