韶关西门子电缆6XV1840-2AH10

在上电后，S7-300 CPU 开始运行用户程序前，运行启动程序。在启动程序中，可通过在相应启动OB中编程来定义循环程序的预先设置。

所有的 S7-300 CPU 总是执行重启动(暖启动)。

(只有CPU 318-2 能执行冷启动，见条目号: 34053758)

在 "STARTUP" 模式下：

• 启动OB块OB100中的程序运行。

• 时间和故障控制程序不能运行。

• 时间被更新。

• 运行时间计时器启动.

• 信号模块上的数字量输出被阻塞，但是可通过直接访问置位。

重启动(暖启动)

重启(暖启动)过程中，程序在程序开始处以系统基本设定和用户地址区再次运行。

• 过程映像和非保持性的位地址区、定时器、计数器被复位。保持性的位地址区、定时器、计数器各自保留上一有效值。所有属性为 "Non Retain" 的数据块被复位为预置值。其它数据块各自保留上一有效值。

• 程序再次从头开始运行(OB1)。

启动操作顺序(暖启动)：

以下操作会触发手动重启(暖启动）： 

• 切换模式选择开关

• 通过PG中的命令菜单或通信功能块(如果模式选择开关处于RUN或RUN-P位置)

如果满足以下条件，上电时会触发自动重启(暖启动)：

• CPU在断电时不在STOP位置。

• 模式选择开关在RUN或RUN-P位置。

• 上电时没有设置自动热启动

• CPU的启动(暖启动)没有因为掉电而中断(与启动设置无关)。

• 
  

鉴于在功率MOSFET关断的瞬间，高频变压器的漏感产生尖峰电压UL，另外，在原边上会产生感应反向电动势UOR，二者叠加在直流输入电压上。典型的情况下，交流输入电压经整流桥整流后，其高电压UImax=380V，UL≈165V，UOR=135V，贝UOR+UL+UOR≈680V。这就要求功率MOSFET至少能承受700V的高压，同时还必须在漏极增加钳位电路，用以吸收尖峰电压，保护TOP222G中的功率MOSFET。本电源的钳位电路由D2、D3组成。其中D2为瞬态电压抑制器(TVS)P6KE200，D3为超快恢复二极管UF4005。当MOSFET导通时，原边电压上端为正，下端为负，使得D3截止，钳位电路不起作用。在MOSFET截止瞬间，原边电压变为下端为正，上端为负，此时D1导通，电压被限制在200V左右。

输出环节设计

以+5V输出环节为例，次级线圈上的高频电压经过UF5401型100V／3A的超快恢复二极管D7，由于+5V输出功率相对较大，于是增加了后级LC滤波器，以减少输出纹波电压。滤波电感L2选用被称作"磁珠"的3.3μH穿心电感，可滤除D7在反向恢复过程中产生的开关噪声。

对于其他两路输出，只需在输出端分别加上滤波电容。其中R3、R4分别为输出的假负载，它们能降低各自输出端的空载和轻载电压。
反馈环节设计

反馈同路主要由PC817和TL431及若干电容、电阻构成。其中U2为TL431，它为可调试精密并联稳压器，利用电阻R5、R6分压获得基准电压值。通过调节R5、R6的值可以调节输出电压的稳压值。C8为TL431的频率补偿电容，可以提高TL43l的瞬态频率响应。C7为软启动电容，取C7=22μF时可增加4ms的软启动时间，在加上TOP222G本身已有的10ms软启动时间，则总共为14ms。

U3为PC817型线性光耦合器，其电流传输比(CTR)范围为80％～160％，，能够较好地满足反馈回路的设计要求，而目前国内常用的4N25、4N26属于非线性光耦合器，不宜采用。反馈绕组上产生的电压经D4、C9整流滤波，获得非隔离式+12V输出，为PC817接收管的集电极供电。由于反馈绕组输出电流较小，次级采用D4硅高速开关管1N4148。光耦PC817能将+5V输出与电网隔离，其发射极电流送至TOP222G的控制端，用来调节占空比。

C3为控制端旁路电容，它能对控制回路进行补偿并设定自动重启频率。当C3=47μF时，自动重启频率为1.2Hz，即每隔0.83s检测一次调节失控故障是否已经被排除，若确认已被排除，就自动重启开关电源恢复正常工作。

R2为PC817中LED的外部限流电阻。实际上除了限流保护作用外，他对控制回路的增益也具有重要影响。当R2改变时，会依次影响到下列参数值：IF→IC→D→UO，也就相当于改变了控制回路的电流放大倍数。