承德西西门子电缆6XV1840-2AH10

常见故障分析及解决方法

l  DP通讯不正常或网络形成断路

检查硬件配置与现场设置是否完全一致或者波特率设置是否过高，检查硬件设备是否连接稳定。

l  正常通讯时添加设备出现干扰

如果干扰时有时无，很可能是由于DP线的长度及所挂的节点数配置不合理，正常情况下，无中继设备时的DP线长度不宜超过300m，而节点数以不超过28个为佳，许多网络不稳定的原因,多是由DP线过长和节点过多造成的，此时建议增加新的中继设备；如果DP线长度和节点数并未超出范围，而干扰仍在发生，可判断是***后一个设备的DP头终端电阻损坏，或者是当前设备自身损坏, DP头损坏，更换一个即可；对于当前设备自身损坏,尤其应及时维修或更换，以免成为干扰源。

l  加入设备无显示并出现干扰

这一现象往往是因为DP地址冲突所致。

l  某些设备通讯不定时丢失

大概率是因为受电磁干扰所导致。

l  正常运行中某几个设备通讯丢失

故障还是DP头烧坏所致，一般情况下，出现多个设备通讯丢失与设备损坏的几率较小，往往多发生于DP头烧坏，故更换DP头即可。

MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。

1.电源IC直接驱动

电源IC直接驱动是简单的驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。

①查看电源IC手册的大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。
②了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢，就达不到想要的效果。

2.推挽驱动

当电源IC驱动能力不足时，可用推挽驱动。

这种驱动电路好处是提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。

3.加速关断驱动

MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。

为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如上图所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小，同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。

如上图，是我之前用的一个电路，量产至少上万台，推荐使用。

用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。如果Q1的发射极没有电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，达到短时间内把电荷放完，大限度减小关断时的交叉损耗。
还有一个好处，就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC，提高了可靠性。

4.隔离驱动

为了满足高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过交流，同时也能防止磁芯饱和。