利用电子（或其它带电粒子）在磁场中偏转的特性，可以测定出它们的电荷与质量之比，即所谓荷质比。
（1）汤姆孙测电子的何质比的方法:
如图，玻璃管内抽成真空，阳极A与阴极K之间维持数千伏特的电压，靠管内残存气体的离子在阴极引起的二次发射产生电子流。阳极A和第二个金属屏A'的中央各有一个小孔，在K、A之间被加速了的电子流，只有很窄一束能
　　　　　　　　　　
够通过这个孔。如果没有玻璃管中部的那些装置，狭窄的电子束依靠惯性前进，直射在玻璃管另一端的荧光屏S的中央，形成一个光点O。 C、D为电容器的两极板，在它们中间可产生一个竖直方向的电场。在圆形区域里，可由管外的电磁铁产生一方向垂直纸面的磁场。适当调节电场与磁场的强度，可使它们作用在电子上的力达到平衡即 eE=evB,或v=E/B。 由E和B的数值可以测出电子流的速度v。再将电场切断，电子束在磁场区内将沿圆弧运动，R=mv/qB，因而电子的何质比为 ，半径R可以直接从仪器上来确定。
（2）磁聚焦法: 　　　　　　　　　　
如图，用磁聚焦法测荷质比装置的一种。真空玻璃管中装有热阴极K和有小孔的阳极A，在A、K之间加电压ΔU时，由阳极小孔射出的电子的动能为 ，从而其速率为 。在电容器C上加一不大的横向交变电场，使不同时刻通过
　　　　　　　
这里的电子发生不同程度的偏转。在电容器C和荧光屏S之间加一均匀纵向磁场，如上所述，电子从C出来后将沿螺旋线运动，到 的地方聚焦。适当的调节B的大小，可使电子流的焦点刚好落在荧光屏S上。这时，h就等于C到S间的距离l，于是从上述h与v的表达式中消去v即得 ，上式右端各量都可以测出，由此即可确定e/m。

电源：依靠非静电力将回到负极的正电荷再反抗电场力的作用移回到正极，从而维持两电极的电势差。提供非静电力的装置称为电源。
　　　　　　　　　　
电源电动势 ：把单位正电荷从负极通过电源内部移到正极时，非静电力所作的功，称为电源电动势，记号 ，即： . 在非静电力存在于整个回路中时的电动势表示为：

霍耳效应:通有电流I的金属或半导体板置于磁感强度为B的均匀磁场中，磁场的方向和电流方向垂直。在金属板的两侧M和N之间就显示出微弱的横向电势差。这种现象称为霍耳效应(Hall effect)。电势差VM－VN 就称为霍耳电势差。

实验表明：霍耳电势差的大小，与电流I及磁感强度的大小B成正比，而与板的厚度d成反比。即:
　　,其中RH称为霍耳系数。
霍耳效应可用磁场中的载流子受到的洛仑兹力来说明:
设载流子带电量为q，载流子的数密度为n，载流子的平均漂移速度为v，它们在洛仑兹力qvB作用下向板的一侧聚集，使得在M、N两侧出现等量异号电荷，在板内建立起不断增加的横向电场。当载流子受到的洛仑兹力和横向电场力相等时，载流子不再做侧向运动，在平衡时有:
设板的侧向宽度为b，则:. 由电流强度I的定义，得:，得霍耳电势差: . 因此，霍耳系数RH : , 霍耳系数RH与材料性质有关。
因为半导体的载流子浓度远小于金属电子的浓度且易受温度、杂质的影响，所以霍耳系数是研究半导体的重要方法之一。利用半导体的霍耳效应制成的器件成为霍耳元件。利用霍耳效应还可以测量载流子的类型和数密度，可以测量磁场。
量子霍耳效应: 1980年德国物理学家克立钦(K. Von Klitzing)在低温(1.5K)和强磁场(19T)条件下，发现:
 式中的霍耳电势差与电流的关系，不再是线性的，而是台阶式的非线性关系:

　　　　　　　　　　　　　
这就是量子霍耳效应。量子霍耳效应与低维系统的性质、高温超导体的性质存在联系。另外，量子霍耳效应给电阻提供了一个新的测量基准，其精度可达10－10。1986年克立钦因量子霍耳效应的发现获诺贝尔奖金。